SI7742DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7742DP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.8647 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI7742 |
SI7742DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7742DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI7758DP VB
VISHAY QFN
SI7742DP-T1-E3 VISHAY
SI7742DP SI
VISHAY PAKSO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
VISHAY PowerPAKSO-8
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
VISHAY QFN8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
VISHAY QFN
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
VISHAY PowerPAKSO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7742DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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